此次受测 CMM-D 模块搭载三星电子 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM 颗粒与澜起新一代 CXL 控制器。

据央视财经报道，由于集团整体业绩未达预期，韩国三星电子最近启动了业务架构的调整，其中半导体部门决定全面退出发光二极管（LED）业务。这一决定标志着继 2025 年 LG 电子退出后，韩国两大电子企业都退出 LED 业务。此前，三星电子主要生

SK 海力士和韩国电子技术研究院放出的岗位吸引了三星大量资深工程师应聘，年轻员工也在另寻出路。

两家企业的市值份额之差为 8.9 个百分点，系 2011 年 7 月 18 日（8.84 个百分点）以来近 13 年零 3 个月的最小水平。

由于三星目前半导体先进制程路线图已规划至 SF1.4 节点,采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。

三星电子今天公布了 2024 年第三季度财报，数据显示该季度合并营收达 79.1 万亿韩元（IT之家备注：当前约 4072.86 亿元人民币），较上季度增长 7%，这归功新款智能手机的推出效应及高端内存产品销售的提升。

三星电子在其平泽二号（P2）和三号（P3）生产基地的 4nm、5nm 和 7nm 制程中，已有超过 30% 的代工生产线停产，并计划在年底前将停产比例扩大至约 50%。公司表示将逐步停产，并根据客户订单需求灵活调整。

韩国作为发达国家，其经济增长离不开众多知名企业的贡献。然而，与其他发达国家不同，韩国经济的增长高度依赖于单一企业 —— 三星电子。

三星 DS 部的三大业务部存储器、系统 LSI、Foundry 目前未能实现互相促进的良性循环，导致整体面临危机。

P4 工厂一期未来每月还可贡献约 1 万片 NAND 闪存晶圆。

三星电子将以租赁的形式获得三星显示一幢大楼的使用权，并在三年内为该建筑导入半导体后端加工设备。

三星电子表示，此次股份回购旨在提升股东价值。

业内人士消息称三星电子今年第三季度签订了一笔价值约200 亿韩元（IT之家备注：当前约 1.04 亿元人民币）的合同，用于为其位于中国苏州的工厂购置和安装半导体设备，以扩充该基地的生产能力。

业内人士表示此次投票结果与公司、工会双方对初步协议得到通过的共同预期不符，可能出现明年需就连续三年薪资协议合并谈判的情况。

今天上午，据新浪科技援引知情人士消息称，在三星电子宣布将进行大规模人事调整之后，有“很多员工”已遭遇降薪，一些部门人员的绩效下降了20%。

安霸 Ambarella 的首款 2nm 芯片将面向物联网 IoT 领域，未来将推出系列 2nm 制程产品。

韩真晚认为在先进制程领域三星需在良率、功率、性能和面积上积极改进，打破“机会窗口关闭所以在下一个节点再赌一把”的恶性循环。

三星在美先进制程产能将重点关注下代尖端节点，同时暂时搁置了在美国当地提供先进制程 + 先进封装“一站式”服务的计划。

今年 ISSCC 的全体会议演讲人原定包含英特尔前任 CEO 帕特・基辛格和原三星电子 DS 部门存储器业务主管李祯培，但这两位高管均在 2024 年末离职。

2024 年第四季度，三星电子销售额 75 万亿韩元（当前约 3760.5 亿元人民币），预估 77.46 万亿韩元，均不达预期。

三星 SF4X 制程也称为 4HPC，是其 4nm 系列节点演进中的最新一步；其与此前的变体不同，主要面向 AIHPC 所需芯片。

浸没式液冷可降低冷却能耗、减少机房噪声、避免外界振动与湿度对对服务器寿命的影响。

三星电子最近收到了来自英伟达的 HBM3e 质量测试 PRA（产品准备批准）通知。这是三星应英伟达要求，派遣负责 HBM 和内存开发的高管前往美国一个多月后取得的成果。

此举可提高 HBM4 内存综合能效；为客户定制功能导入留足空间；还可为 LSI 部门提供先进制程订单。

NSEU 表示：“我们需要在继续向管理层施压的同时，转变斗争方式，以减轻工会成员的经济负担。”

原因之一是 Mach-1 芯片开发同 Naver 业务深度交织，非 Naver 客户难以充分发挥 Mach-1 的潜力。

无缓冲 HBM4 据信属于 HBM4 内存特殊变体，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。

三星还表示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器 SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

据路透社报道，全球最大的智能手机、电视和内存芯片制造商三星电子正在裁减其海外员工，部分部门裁员幅度高达 30%。

目前，100 多名被捕工人已于当晚获释，但组织罢工的工会领导人仍被拘押在别的地方。