北京时间今日，三星电子董事长李在镕告诉路透社，三星无意分拆其代工芯片制造业务和逻辑芯片设计业务。

三星此次购买规模约为 2000 颗 MI300X，可缓解企业内部英伟达 AI GPU 短缺带来的算力不足问题。

三星电子 10 月 8 日公布了其 2024 年第三季度的收益指引，利润和营收均未达到市场预期，引发了对其关键芯片部门前景的不确定性担忧。

三星电子 2023 年因接连出现 ChatGPT 所致机密泄漏事件禁止员工使用外部 AI 工具。

三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线，但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。

这也是 Exynos 2500 首次进行非研发或评估的生产。该处理器有望用于 2025H2 的 Galaxy Z Flip 7“小折叠”旗舰。

三星电子、全（韩）国三星工会这劳资双方自今年 1 月 16 日以来就 2024 年度薪资协议展开了一场漫长的拉锯战。

该综合体占地面积 10.9 万平方米，将成为三星电子 DS 部下属三大事业部（存储器、系统 LSI 和 Foundry）的共同核心研发基地。

预计三星电子最早将于本周或下周宣布高管任命和组织重组，首先是总裁任命。据企业界透露，三星电子已经通知了部分高管离职，主要是 DS（IT之家注：设备解决方案）业务部门。（Maeil）

此次三星还更换了 DS 部 Foundry 业务部的负责人，用 Han Jinman 替代崔时荣，并由 Nam Seok Woo 担任该业务部总裁级 CTO。

三星首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂，由于良率尚待改进初期投资规模有限。

据悉三星电子的 HBM3E 在发热和功耗等性能参数上无法满足英伟达的要求并非因键合工艺不同导致。

1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最终走向商业化则 4F2 VCT DRAM 的量产预计将至少延至 2029 年。

逻辑芯片也称基础裸片、接口芯片，在整体 HBM 内存堆栈中起到“大脑”的作用，同时也是发热大户。

三星晶圆代工业务在 2025~2023 年的投资高峰期每年的设备投资规模可达 15~20 万亿韩元；今年该部门将最大限度地利用已有的生产基础设施。