Rapidus 的 2nm 晶圆厂 IIM-1 大楼建设已完成约八成，目标 2027 年实现大规模量产。

由于三星目前半导体先进制程路线图已规划至 SF1.4 节点,采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。

三星 DS 部的三大业务部存储器、系统 LSI、Foundry 目前未能实现互相促进的良性循环，导致整体面临危机。

这些资金还将用于厂房兴建及厂务设施工程、2025 年研发资本预算与经常性资本预算、2025 年资本化租赁资产。

安霸 Ambarella 的首款 2nm 芯片将面向物联网 IoT 领域，未来将推出系列 2nm 制程产品。

先进制程一直是帕特・基辛格在任时着重关注的领域，因为工艺好坏决定了其主推的 IDM 2.0 战略的成败。

韩真晚认为在先进制程领域三星需在良率、功率、性能和面积上积极改进，打破“机会窗口关闭所以在下一个节点再赌一把”的恶性循环。

IBM 和 Rapidus 双方展示了一种在 GAA 中实现多阈值电压（Multi Vt）的更好方案。

BSPDN 背面供电网络是先进制程领域即将问世的重大技术改进，其将芯片的供电结构从晶圆正面转移至背面，最终降低了平台整体电压与功耗。

按照 Rapidus 的规划，在完成试产后该企业目标到 2027 年 4 月实现 2nm 工艺的量产；此前 Rapidus 表示正同 40 多家潜在客户进行谈判。

三星在美先进制程产能将重点关注下代尖端节点，同时暂时搁置了在美国当地提供先进制程 + 先进封装“一站式”服务的计划。

DNP 成功在其光掩模制品上绘制了支持先进制程的直线与复杂曲线图案，该产品有望用于 Rapidus 的 2nm 产线。

具体而言，3nm、5nm 的价格涨幅将在 5%~10% 不等，而最供不应求的 CoWoS 的涨幅则将来到更高的 15%~20%。

三星电子计划于 2025 上半年启动 2nm 的试生产，目标在明年内正式推出 2nm 工艺。

三星 SF4X 制程也称为 4HPC，是其 4nm 系列节点演进中的最新一步；其与此前的变体不同，主要面向 AIHPC 所需芯片。

台积电对 MPW 的称呼是 CyberShuttle 晶圆共乘服务，其可在多个客户间分摊单片晶圆的成本。

OpenAI 的 AI 芯片领域合作伙伴为博通、Marvell 两大设计企业。除 A16 外 OpenAI 还将利用台积电 3nm 系列制程。

英特尔表示 Intel 18A 制程的缺陷密度指标 D0 已小于 0.40，故而此时调整工程资源分配在经济上合适。

三星晶圆代工业务在 2025~2023 年的投资高峰期每年的设备投资规模可达 15~20 万亿韩元；今年该部门将最大限度地利用已有的生产基础设施。