SK 海力士在公司公告栏上宣布，将发放相当于基本工资 1500% 的绩效奖金，这也是有史以来规模最大的一次（奖金将于本月 24 日发放）。

SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，月产能也已降低至不足去年一半水平。

SK 海力士今天（10 月 24 日）发布 2024 财年第三季度（截至 2024 年 9 月 30 日）财报，合并收入为 17.5731 万亿韩元，环比增长 7%、同比增长 94%。

随着对 AI 芯片的需求爆炸性增长，能够快速处理海量数据的 eSSD 的需求也在飙升，成为与 HBM 芯片并列的 AI 芯片核心部分。

两家企业的市值份额之差为 8.9 个百分点，系 2011 年 7 月 18 日（8.84 个百分点）以来近 13 年零 3 个月的最小水平。

SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。

新设的AI芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等未来技术，旨在促进公司整体的技术协同。

路透社昨日（12 月 19 日）发布博文，报道美国商务部本周四最终确定，向 SK 海力士提供高达 4.58 亿美元（IT之家备注：当前约 33.46 亿元人民币）的政府补助，帮助其在印第安纳州设立先进芯片封装工厂和人工智能产品研发设施。

在目前的 AI 芯片产业链中存储原厂仅负责提供 HBM，进军以 2.5D 工艺为代表的先进外包封测有助于提升 SK 海力士整体竞争力。

这似乎是保护盈利能力的一项措施，因为随着全球 NAND 持续供过于求，预计今年价格将暴跌。考虑到 SK 海力士正在增加 NAND 供应规模，三星电子似乎已经决定，无法以当前的 NAND 工艺维持过去压倒性的生产力。

浸没式液冷可降低冷却能耗、减少机房噪声、避免外界振动与湿度对对服务器寿命的影响。

SK 海力士此前已宣布斥资 38.7 亿美元在印第安纳州西拉斐特建设先进封装生产设施。

SK 海力士还堆叠 12 颗 3GB DRAM 芯片，实现与现有的 8 层产品相同的厚度，同时容量提升 50%。为此，公司将单个 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。

SK 海力士在 10 月份的第三季度电话会议上表示，预计 HBM 将在第四季度占其 DRAM 业务营收的 40% 份额。随着 SK 海力士与博通达成协议，预计这一比例将进一步上升。