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04月28日特性进行栅极先进的技术0评
芯控源 AGM7N65D 绝对最大值额定值热特性电气特性
04月27日特性进行栅极先进的技术0评
芯控源 AGM7N65F 绝对最大值额定值 热特性 电特性
04月26日特性进行栅极先进的技术0评
替代LT8306反激隔离开关控制器内置UVLO和短路保护
04月08日栅极电流内置驱动隔离0评
新品上市,华普微推出600V半桥驱动器HPD2606X
03月26日电平上市栅极标准电路0评
晶丰明源 BP6931 200V三相半桥驱动芯片
03月05日栅极死区内置控制逻辑0评
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矽源特ChipSourceTek-PE40P08S是SOP8封装,40V, 8A的P-源Mosfet
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福建省晋华集成电路取得半导体器件专利,提高操作表现
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矽源特ChipSourceTek-PE039N03K是TO-252-2L封装,30V,130AN-Mosfet
02月26日栅极强劲电子调控电能0评
宽禁带科技论|香港科技大学陈敬课题组:宽禁带半导体氮化镓、碳化硅的最新研究进展
02月18日栅极Meeting半导体电子陈敬0评
新洁能授权代理 NCEP1505S N沟道超深槽功率MOSFET
02月17日Trench整流栅极技术电源0评
新洁能授权代理 NCE0224AK N沟道增强型功率MOSFET
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浮思特 | MOSFET和BJT在电源循环应用中的应用:驱动高侧开关
02月13日栅极电路电源输出开关0评
涉及碳化硅专利,格力电器、芯联集成新动态
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华润微授权代理商 CS830F A9RD N沟道功率MOSFET
01月24日制造华润微栅极能量电路0评
智芯微电子申请 MOS 管有效沟道长度测试专利,提高测试效率
01月16日企业显示栅极信息长度0评