描述：
AGM4N65F结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。
特征：
先进的高密度沟槽技术
低 RDS（ON） 以最小化导电损失
低栅极电荷以实现快速切换
低热阻
100% 进行过雪崩测试
100% 进行过 DVDS 测试
应用：
电子镇流器
电子变压器
开关模式电源
详情请咨询我司业务15986786916
