芯控源 AGM3N150F 绝对最大值额定值热特性电气特性

描述：

AGM3N150F结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。

特征：

先进的高密度沟槽技术

低RDS（ON）以最小化导电损失

低栅极电荷以实现快速切换

低热阻

100% 进行过雪崩测试

100% 进行过DVDS测试.

应用：

电子镇流器

电子变压器

开关模式电源

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