Mosfet

矽源特ChipSourceTek-PE3415C是20V, 7A,的P沟道增强型电源Mosfet。提供SOT-23-3L封装。
The 矽源特ChipSourceTek-PE3415C uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate …
TheMosfetinand增强型
fjmyhfvclm4天前
220
矽源特ChipSourceTek-PE3415是VDS=-20V, ID=-5.5A,RDS(ON)<40mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)<45mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供SOT-23-3
The 矽源特ChipSourceTek-PE3415 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate c…
TheMosfetinand增强型
fjmyhfvclm5天前
230
矽源特ChipSourceTek-PE83H5PT是VDS=30V, ID=150A,RDS(ON)<2.6mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-263封装。
The 矽源特ChipSourceTek-PE83H5PT uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gat…
TheMosfetTrench电源and
fjmyhfvclm26天前
260
矽源特ChipSourceTek-PE60P80G是VDS=-60V, ID=-80A,RDS(ON)<15mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<18mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供DFN5x6-8
深沟槽技术的应用使矽源特ChipSourceTek-PE60P80G在三个维度实现突破：首先，与传统平面结构相比，单位面积导通电阻降低约40%，这意味着在相同电流负载下可减少约1.5W的功率损耗；其次，优化…
特性功率设计Mosfet控制
fjmyhfvclm27天前
250
矽源特ChipSourceTek-PE83H3K是VDS=30V, ID=120A,RDS(ON)<2.8mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4.6mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封
The 矽源特ChipSourceTek-PE83H3K uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate …
TheMosfet电源and增强型
fjmyhfvclm28天前
190
矽源特ChipSourceTek-PE60P50K是VDS=-60V, ID=-50A,RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<32mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2
The 矽源特ChipSourceTek-PE60P50K uses deep trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate ch…
TheMosfetand增强型Lead
fjmyhfvclm1月前
340
矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2
The 矽源特ChipSourceTek-PE60P20K uses deep trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate cha…
TheMosfetand增强型Lead
fjmyhfvclm1月前
340
矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2
这款P沟道增强型电源MOSFET犹如电力系统的精密闸门，在-60V的漏源电压（VDS）与-20A的持续电流（ID）下展现卓越性能。其导通电阻（RDS(ON)）指标尤为亮眼：当栅源电压（VGS）为-10V时低…
立体迷宫电流Mosfet技术电源
fjmyhfvclm1月前
290
矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供PDFN5x6-
矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet…
TheMosfetTrenchand增强型
fjmyhfvclm1月前
460
矽源特ChipSourceTek-MX2301B是VDS=20V, ID=2.3A,RDS(ON)(Typ.)=89mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)(Typ.)=110mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型Mosfet。提供SOT-23封装。
The 矽源特ChipSourceTek-MX2301B uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate ch…
withMosfetLowand增强型
fjmyhfvclm3月前
530
矽源特ChipSourceTek-PE40P08S是SOP8封装,40V, 8A的P-源Mosfet
矽源特ChipSourceTek-PE40P08S作为一款高性能的P通道增强模式电源MOSFET，凭借其出色的电气性能、先进的封装技术和广泛的应用领域，成为了现代电子系统中不可或缺的关键元件。通过深入了解其…
特性栅极Mosfet器件电路
fjmyhfvclm3月前
630