针对这一瓶颈，陈敬教授课题组提出采用N型掺杂的GaN帽层作为半导体栅极以取代传统的金属栅极，构建n-GaNp-GaNAlGaNGaN增强型HEMT，具体结构如图2-1所示，其中在有源区沟道上方的n-Ga…