OPPO果断清仓了，跌到988元，12GB+256GB+5500mAh+80W

01月28日时间手机池后mAh内存0评

TrendForce：2025 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓，需求主要靠 AI 服务器维持

01月28日内存DRAM0评

TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

01月28日TrendForceHBM内存HBM50评

三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化

01月28日三星HBM内存HBM3E0评

消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆

01月28日三星电子DRAM内存0评

南亚科技宣布同补丁科技就定制超高带宽内存开发达成战略合作

01月28日南亚科技内存DRAM0评

美光豪掷 21.7 亿美元扩建弗吉尼亚工厂，提升美国特种 DRAM 产能

01月28日美光内存0评

报道称三星于华城 17 号产线量产 HBM3 内存，平泽 P4 产线全部转向 DRAM 生产以弥补供应短缺

01月28日三星HBM3内存0评

TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

01月28日内存闪存HBMDRAMNAND0评

TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产

01月28日内存DRAM0评

消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运

01月28日三星内存DRAM0评

TrendForce：2025 年第二季内存产业营收 229 亿美元，环比增 20.4%，同比翻倍

01月28日内存DRAMTrendForce集邦咨询0评

赔偿 7.535 亿欧元，英飞凌就昔日内存巨头奇梦达破产达成最终和解

01月28日奇梦达英飞凌内存DRAM0评

双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存

01月28日三星电子HBM内存台积电0评

消费电子旺季遇冷，消息称内存模组一哥金士顿针对部分中低端产品降价

01月28日金士顿内存内存条DRAM0评

DRAM 迎来降价周期，DDR4 8Gb 1Gx8 内存 9 月降幅达 17.07%

01月28日内存0评

消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存

01月28日三星电子HBM4DRAM内存0评

面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存

01月28日铠侠南亚科技DRAM内存0评

消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙

01月28日HBM内存0评

TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%

01月28日DRAM内存NAND芯片0评

消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进

01月28日三星电子DRAM内存0评

消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求，2025 年内难以向英伟达供应

01月28日三星电子HBM内存英伟达0评

TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%

01月28日TrendForce集邦咨询DRAM内存0评

鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

01月28日三星电子内存DRAM0评

消息称三星电子已启动 4nm 制程 HBM4 逻辑芯片试生产

01月28日三星电子HBM4E内存0评

消息称美光将加入 16-Hi HBM3E 战场，已在进行最终设备评估

01月28日内存美光HBM3E0评

英睿达DDR5内存再升级，64GB单条版本2月来袭，多种规格任你选

01月26日用户来袭单条型号内存0评

合理设置虚拟内存的重要性与调整建议解析

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为什么有些人买两千元的中端手机，可以用四五年才换？

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春节备战50系显卡：就选华硕X870、Z890主板

01月23日供电ProCool接口散热内存0评