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  2. 内存
  • 美光12Hi HBM3E内存将放量,目标HBM市占率达20%

    即便当前三星电子在HBM业务上遇到了一些挑战,美光依然坚定这一目标。 在NAND闪存方面,Mark Murphy透露了公司的不同策略。在财务数据方面,Mark Murphy预计美光在2024财年第三财季(截…
    市场整体降低Mark内存
    fjmyhfvclm3月前
    730
  • 超值之选,50系显卡装机我用金泰克!

    在内存设计上,金泰克速虎-朱砂痣 DDR5 6000 CL36内存条还使用了PMIC独立电源设计;在传输速率上,这款产品能实现高达6000MTs的数据传输速率,在高负载情况下能够让玩家显著感受到系统响应速度…
    用户设计产品散热内存
    fjmyhfvclm4月前
    600
  • 开年装新机——不到万元配置就能通吃主流游戏

    技嘉魔鹰X B850M GAMING X WIFI6E还提供了丰富的扩展接口,包括PCIe 5.0显卡插槽和PCIe5.0固态硬盘插槽,以及2.5G千兆网卡、Wi-Fi 6E无线网卡和USB Type-C…
    配置新机内存处理器游戏
    fjmyhfvclm4月前
    680
  • 英特尔Granite Rapids-W工作站平台曝光:最多128条PCIe 5.0通道

    与英特尔和AMD近年来在工作站领域的策略保持一致,Granite Rapids-W平台同样分为两个系列:“主流”系列和“专家”系列。随着Granite Rapids-W平台的推出,英特尔将再次巩固其在工作…
    RapidsW系列平台内存高端用户
    fjmyhfvclm4月前
    580
  • 每日一图 丨 《节省内存》

    能删了系统说明也是有点本事 图片来源网络…
    图片本事网络来源内存
    fjmyhfvclm4月前
    800
  • 联想小新 Pro 2025 系列笔记本上架预约,2 月 18 日正式开售

    小新 Pro 1416 GT AI 元启版均提供英特尔酷睿 Ultra 5 225H 和 Ultra 9 285H 版本可选,均为 32GBLPDDR5x 8533 内存 + 1TB PCIe 4.0 …
    mm亮度系列内存小新
    fjmyhfvclm4月前
    840
  • 2025年笔记本市场新趋势,更多1kg笔记本出现,补贴后价更低

    点评:这款本屏幕节省了重量,同时电池也不大,应该就是为了实现1kg这个目标。 这款本配置了Ultra5125H,4性能核心,8效能核心,2个低功耗效能核心,14核,18线程。 点评:这款本虽然用了13.5…
    重量接口电池核心内存
    fjmyhfvclm4月前
    2680
  • 如何根据个人需求选择合适的笔记本电脑配置指南

    首先,大家需要明白,笔记本的配置主要由几个关键部分组成:处理器、内存、存储、显卡和显示屏。如果你只是用来上网、看视频,选择一款中等配置的笔记本就可以了;如果你需要进行图像处理、视频剪辑等专业工作,那么高性能…
    需求配置内存处理器性能
    fjmyhfvclm4月前
    1180
  • 高效清理苹果手机内存的小窍门与维护技巧分享

    很多程序在使用过程中,都会产生一些缓存文件。这些缓存虽然可以加快应用的启动速度,但时间长了也会占用不少内存。也可以在“设置”里选择“App Store”,关闭“自动下载”功能,这样可以避免应用在后台自动更新而…
    手机文件苹果后台内存
    fjmyhfvclm4月前
    850
  • OPPO果断清仓了,跌到988元,12GB+256GB+5500mAh+80W

    在众多的百元手机中,我比较看好OPPO K12x这款手机,其实这款手机最初的定位在千元价位,因为上市时间挺久了,现在OPPOK12x已经沦为了百元机,目前12GB+256GB版本988元就能买到! 考虑到…
    时间手机池后mAh内存
    fjmyhfvclm4月前
    670
  • TrendForce:2025 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓,需求主要靠 AI 服务器维持

    根据 TrendForce 最新调查报告,2024 年第三季度之前,消费型产品终端需求依然疲软,主要需求靠 AI 服务器支撑。
    内存DRAM
    fjmyhfvclm4月前
    940
  • TrendForce:三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

    混合键合可容纳较多堆叠层数与较大晶粒厚度,还能提升芯片传输速度,散热表现也更为优异。
    TrendForceHBM内存HBM5
    fjmyhfvclm4月前
    1130
  • 三星电子准备 HBM3E 内存改进款:针对多个主要客户下代 AI GPU 优化

    三星正与客户就改进版 HBM3E 的供应进行谈判,预计将于明年上半年实现量产。三星电子第三季度 HBM 内存总销售额环比增长超 70%,HBM3E 已占到整体一成。
    三星HBM内存HBM3E
    fjmyhfvclm4月前
    1130
  • 消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线:每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆

    P4 工厂一期未来每月还可贡献约 1 万片 NAND 闪存晶圆。
    三星电子DRAM内存
    fjmyhfvclm4月前
    1090
  • 南亚科技宣布同补丁科技就定制超高带宽内存开发达成战略合作

    此次合作将结合南亚科技的 10nm 级 DRAM 技术和补丁科技在定制内存产品方面的设计能力。
    南亚科技内存DRAM
    fjmyhfvclm4月前
    950
  • 美光豪掷 21.7 亿美元扩建弗吉尼亚工厂,提升美国特种 DRAM 产能

    美国弗吉尼亚州州长格伦・杨金表示,美光计划投资 21.7 亿美元(IT之家备注:当前约 158.76 亿元人民币)扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂,创造 340 个就业岗位并提高其在美国的半导体生产能力。该项目将对该设施进行升级,以
    美光内存
    fjmyhfvclm4月前
    1020
  • 报道称三星于华城 17 号产线量产 HBM3 内存,平泽 P4 产线全部转向 DRAM 生产以弥补供应短缺

    继消息称三星有望今年第 3 季度开始向英伟达出货后,韩媒 sedaily 报道三星开始已在华城 17 号产线量产并向英伟达供应 HBM3 内存。
    三星HBM3内存
    fjmyhfvclm4月前
    810
  • TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

    HBM 今年将贡献 DRAM 整体营收的 20%;QLC 今年将占到整体 NAND 位元出货的两成。
    内存闪存HBMDRAMNAND
    fjmyhfvclm4月前
    1130
  • TechInsights:3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产

    0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。目前三大原厂最先进的工艺是 1b nm,即第 6 代 20~10 纳米级节点。
    内存DRAM
    fjmyhfvclm4月前
    970
  • 消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资,目标明年 6 月投运

    三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。平泽 P4 生产的 DRAM 有望用于 HBM4。
    三星内存DRAM
    fjmyhfvclm4月前
    1070
  • TrendForce:2025 年第二季内存产业营收 229 亿美元,环比增 20.4%,同比翻倍

    DRAM 内存产业 2024 年第二季合约价维持上涨姿态,具体涨幅落在 13%~18% 区间。
    内存DRAMTrendForce集邦咨询
    fjmyhfvclm4月前
    1150
  • 赔偿 7.535 亿欧元,英飞凌就昔日内存巨头奇梦达破产达成最终和解

    奇梦达曾一度成为全球第二大 DRAM 供应商,但因多方面原因于2009年申请破产。
    奇梦达英飞凌内存DRAM
    fjmyhfvclm4月前
    930
  • 双方 HBM 合作首度公开,三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存

    无缓冲 HBM4 据信属于 HBM4 内存特殊变体,取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。
    三星电子HBM内存台积电
    fjmyhfvclm4月前
    920
  • 消费电子旺季遇冷,消息称内存模组一哥金士顿针对部分中低端产品降价

    今年整体消费者需求偏低,AI PC带来的换机潮尚未发酵,导致存储模组行业企业面临现金流压力。
    金士顿内存内存条DRAM
    fjmyhfvclm4月前
    1250
  • DRAM 迎来降价周期,DDR4 8Gb 1Gx8 内存 9 月降幅达 17.07%

    自去年 10 月以来,DRAM 价格一直在稳步上涨,但 8 月下跌了 2.38%,这也是 DRAM 报价首次下跌,然后就是 9 月跌幅进一步加大。
    内存
    fjmyhfvclm4月前
    440
  • 消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒,未来将用于 HBM4 内存

    三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线,但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。
    三星电子HBM4DRAM内存
    fjmyhfvclm4月前
    1040
  • 面向高能效应用:铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存

    OCTRAM 为一种采用 IGZO 晶体管的 4F2 VCT DRAM,较以往产品漏电流更低,能效更为优秀。
    铠侠南亚科技DRAM内存
    fjmyhfvclm4月前
    950
  • 消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合,进一步降低层间间隙

    助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层,提升键合强度与质量,但其残余也会扩大 HBM 堆栈各 Die 之间的间隙。
    HBM内存
    fjmyhfvclm4月前
    830
  • TrendForce:第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元,环比增长 13.6%

    三星 Q3 营收为 107 亿美元(当前约 775.72 亿元人民币),环比增长 9%,排名维持第一,出货量与上季持平,但市场份额反而有所下降。
    DRAM内存NAND芯片
    fjmyhfvclm4月前
    1210
  • 消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购,明年 2 月引进

    三星首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂,由于良率尚待改进初期投资规模有限。
    三星电子DRAM内存
    fjmyhfvclm4月前
    970
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