SGM6601的工作开关频率高达1MHz。SGM6601具有内部400mA开关电流限制，提供较低的输出电压纹波，并允许在低功率应用中使用更小外形因数的电感器。低静态电流（典型值为20µA）以及优化的控制方案，…

E4402B频谱分析仪，作为Agilent品牌的杰出代表，其性能在通信测试与测量领域树立了新的标杆。 尤为值得一提的是，该分析仪可选配1 Hz的窄解析度频宽功能，这一特性如同为频谱分析插上了精细调控的翅膀，…

通过不断提升产品可靠性、加强高端碳化硅产业链的研发力度等措施，我国有望在第三代半导体材料领域取得更大的突破和发展。未来，我国应继续加强技术研发与创新力度、提升产品可靠性与性能水平、拓展应用领域与市场以及加强国…

模块化与集成化：国产SiC模块（如BASiC基本股份）与驱动电路、散热设计深度融合，降低下游应用门槛，推动工业电源、5G基站等领域创新。碳化硅MOSFET 功率器件国产化进程的加快，使得国内企业（如BAS…

SGM6607A是一款单片高压开关稳压器，内置1.2A、40V功率MOSFET。该器件可以配置为多种标准开关稳压器拓扑结构，包括升压和SEPIC。该器件具有宽输入电压范围，支持来自多节电池或稳压5V、12V…

灌封胶通常以环氧树脂、硅胶、聚氨酯、丙烯酸树脂等为基础，经过改性和添加特定的导热填料，最终形成具有特定性能的胶体。 硅胶灌封胶是一种常见的柔性材料，具有优异的耐高温性能和良好的导热性能，热导率通常在0.5~2…

倾佳电子杨茜提出的“三个必然”——即“SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块”“SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管”“650V SiC碳化硅单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN…

金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司取得一项名为“光模块组件及通信装置”的专利，授权公告号 CN222394187 U，申请日期为2023年12月。光模块组件包括光模块、…

长期运行成本优势：SiC MOSFET的高效率（损耗比IGBT低30%-50%）和长寿命（耐高温特性减少维护需求）降低了全生命周期成本，加上出现了碳化硅（SiC）功率器件和Si硅基功率器件（IGBT单管和超…

金融界2025年1月28日消息，国家知识产权局信息显示，甬矽电子（宁波）股份有限公司取得一项名为“自清洁打印治具”的专利，授权公告号 CN222387838 U，申请日期为 2024 年 5 月。在实际使用…

功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为电力电子系统的心脏，是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅（Si）基功率器件的性能逼近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以禁带宽度大、击穿场强高、…

针对这一挑战，北京大学化学与分子工程学院的徐东升教授团队创新性地提出了一种双位点键合策略，利用多功能有机盐4-（三氟甲氧基）苯肼盐酸盐（TPH）来显著增强SnO2电子传输层（ETL）钙钛矿界面的机械稳定性，…

是德keysight N5244B PNA-X网络分析仪，900 Hz10 MHz 至 43.5 GHz N5249B PNA-X微波网络分析仪，900 Hz10 MHz 至 8.5 GHz N526…

1月16日，《科创板日报》讯，英伟达将于3月的GTC大会推出CPO（共封装光学）交换机新品，该CPO交换机预计将支持115.2Tbps的信号传输，搭载36个光引擎。CPO技术将光引擎和交换芯片共同封装在一起，…

ME6209 系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有过流和短路保护的 CMOS 降压型电压稳压器。ME6209 允许的最大电压是18V。高精度输出电压：± 1%（VOUT =2.8V、3.3V、5.0V…

金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号 CN119297171 A，申请日期为2024年8月。 专利摘要显示，本发明公开了半…