北京理工大学出版社的回答：
二极体理想模型的伏安特性曲线为过原点的一条折线
️怎样分析二极体的伏安特性曲线
热心网友的回答：
二极体的效能可用其伏安特性来描述。在二极体两端加电压u，然后测出流过二极体的电流i，电压与电流之间的关係i=f(u)即是二极体的伏安特性曲线，如图所示。
二极体伏安特性曲线如图
二极体的伏安特性表示式可以表示为式
id=is*(e^ud/ut-1)
其中id为流过二极体两端的电流，ud为二极体两端的加压，ut在常温下取26mv。is为反向饱和电流。
1、正向特性
特性曲线1的右半部分称为正向特性，由图可见，当加二极体上的正向电压较小时，正向电流小，几乎等于零。只有当二极体两端电压超过某一数值uon时，正向电流才明显增大。将uon称为死区电压。
死区电压与二极体的材料有关。一般硅二极体的死区电压为0.5v左右，锗二极体的死区电压为0.
1v左右。
当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流将迅速增大，电流与电压的关係基本上是一条指数曲线。由正向特性曲线可见，流过二极体的电流有较大的变化，二极体两端的电压却基本保持不变。通过在近似分析计算中，将这个电压称为开启电压。
开启电压与二极体的材料有关。一般硅二极体的死区电压为0.7v左右，锗二极体的死区电压为0.
2v左右。
2、反向特性
特性曲线1的左半部分称为反向特性，由图可见，当二极体加反向电压，反向电流很小，而且反向电流不再随着反向电压而增大，即达到了饱和，这个电流称为反向饱和电流，用符号is表示。
如果反向电压继续升高，当超过ubr以后，反向电流急剧增大，这种现象称为击穿，ubr称为反向击穿电压。
️二极体的伏安特性曲线有何特点
热心网友的回答：
① 二极体具有单向导电性； ② 二极体的伏安特性具有非线性； ③ 二极体的伏安特性与温度有关。
️二极体伏安特性曲线
热心网友的回答：
用低频是便于测量资料。测量二极体特性曲线用三角波是因为波形是线性变化的，也是便于测量。如果用正弦波的话，就是非线性变化了。而用方波根本就测试不了二极体的伏安特性。
️什么是二极体的伏安特性曲线？
热心网友的回答：
通过二极体的电压降为横座标，通过二极体的电流为纵座标，经过绘製后出来的影象就是所求的二极体的伏安特性曲线图。
热心网友的回答：
二极体两端的电压和通过它的电流之间的关係曲线。谢谢。
️二极体的伏安特性曲线
牛角尖的回答：
因为纵座标是对数座标，所以只要直线就是指数变化，图中可见10a电流以下确实符合指数变化特点。
由于二极体并不只是一个pn结，还包含半导体材料的欧姆电阻（半导体的电阻率肯定要比导体大），因此实际电流曲线就包含了这个串联电阻的影响，电流越大，这个电阻上的电压越大，对曲线影响就越大，偏离指数特性就越大，按照欧姆定律，最后电压电流应该成为线性关係而不是指数关係了。
️二极体伏安特性曲线问题（鄙视贴上狂人）
钤山镇的回答：
二极体的伏安特性是指流过二极体的电流id与加于二极体两端的电压ud之间的关係或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用电晶体图示仪显示出来的u～i曲线，称二极体的伏安特性曲线。下图 是二极体的伏安特性曲线示意图，依此为例说明其特性。
一、正向特性
由图可以看出，当所加的正向电压为零时，电流为零；当正向电压较小时，由于外电场远不足以克服pn结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，故正向电流很小（几乎为零），二极体呈现出较大的电阻。这段曲线称为死区。
当正向电压升高到一定值uγ（uth ）以后内电场被显着减弱，正向电流才有明显增加。uγ 被称为门限电压或阀电压。uγ视二极体材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为0.
5v左右，锗管为0.1v左右。在实际应用中，常把正向特性较直部分延长交于横轴的一点，定为门限电压uγ的值，如图中虚线与u轴的交点。
当正向电压大于uγ以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。把正向电流随正向电压线性增长时所对应的正向电压，称为二极体的导通电压，用uf来表示。通常，硅管的导通电压约为0.
6～0.8v （一般取为0.7v），锗管的导通电压约为0.
1～0.3v （一般取为0.2v）。
二、反向特性
当二极体两端外加反向电压时，pn结内电场进一步增强，使扩散更难进行。这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运动形成微弱的反向电流ir。反向电流很小，且几乎不随反向电压的增大而增大（在一定的範围内），如图z0111中所示。
但反向电流是温度的函式，将随温度的变化而变化。常温下，小功率硅管的反向电流在na数量级，锗管的反向电流在μa数量级。
三、反向击穿特性
当反向电压增大到一定数值ubr时，反向电流剧增，这种现象称为二极体的击穿，ubr（或用vb表示）称为击穿电压，ubr视不同二极体而定，普通二极体一般在几十伏以上且硅管较锗管为高。
击穿特性的特点是，虽然反向电流剧增，但二极体的端电压却变化很小，这一特点成为製作稳压二极体的依据。
南风二三的回答：
电流公式是j=js[exp(u/ut)-1],ut是热电压，就是室温下等于26mv的那个东西，这个，公示我打的不是很标準，这里没有公示编辑器额，你就凑合看下吧。没有为啥吧，公示就是这样，曲线图就是这样了呗……
其中那个js是我们一个定义的引数，叫它理想反向饱和电流。js=[e*dp*p0/lp + e*dn*n0/ln],如果学过半导体物理的话，就能看出来这个js是和材料有关的。
肖特基二极体比pn结二极体（就是你说的si管）正向压降（就是有效开启电压）小，是因为肖特基二极体的理想反向饱和电流值比pn结二极体的大几个数量级。
你说的这个补充问题，我没太理解，肖特基二极体就是指金属和n型半导体接触形成的， 因为肖特基二极体的电流主要取决于多数载流子电子的流动，如果你让金属和p型半导体接触，它怎么可能导电啊……
上面回答的很全面 简单点 就是 正向导通 反向截止 因为二极体有整流的作用么 怎样分析二极体的伏安特性曲线 二极体的效能可用其伏安特性来描述。在二极体两端加电压u,然后测出流过二极体的电流i,电压与电流之间的关係i f u 即是二极体的伏安特性曲线,如图所示。二极体伏安特性曲线如图 二极体的伏安特性...
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