此次投产也意味着德州仪器可将其 GaN 器件扩展到 900V 乃至更高的电压，开创更为广阔的应用场景。

罗姆此前已在 2023 年采用台积电的 650V 氮化镓 HEMT 工艺推出了 EcoGaN 系列新半导体产品。

英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有“全球最大的氮化镓功率半导体生产基地”，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。

该衬底具有同氮化镓更为接近的热膨胀系数，减少了上氮化镓外延层出现缺陷的风险。