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良率
高密度PCB组装良率低?钢网开孔与贴片压力调整
四、整合建议:良率提升是系统工程钢网设计应在DFM阶段引入结构仿真;SMT参数需根据器件位置差异化设定压力;多品种切换线体建议建立元件级贴装参数数据库;实施SPI+AOI+X-Ray联合质量分析机制,快速…
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贴片
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良率
fjmyhfvclm
1天前
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三星两大部门死磕2nm良率50%!誓要抢先量产力压台积电
快科技6月12日消息,据韩媒报道,三星系统LSI与晶圆代工两大事业部正在加速提升Exynos 2600芯片的性能与良率,以降低成本并提升竞争力。 此前,三星2纳米GAA制程的良率仅为30%,但随着研发的持续投…
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韩媒
fjmyhfvclm
1天前
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三星2nm芯片Exynos 2600原型量产,三成良率能否逆转局势?
Exynos 2600有望成为首批采用2nm工艺与Gate-All-Around(GAA)晶体管技术的应用处理器,这一创新技术通过全面包裹芯片内部通道,有效减少了漏电现象,提升了驱动电流,进而提高了芯片的性能…
Galaxy
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生产
良率
fjmyhfvclm
2天前
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追赶中国厂商?消息称三星加速1c DRAM工艺量产LPDDR6内存 计划下半年供货高通
据外媒报道,三星电子设备解决方案(DS)部门副董事长全永铉宣布,三星将于今年下半年通过第六代“1c DRAM”工艺量产下一代LPDDR6内存,并计划向高通等科技巨头供货。LPDDR6内存基于1c工艺开发,带宽…
计划
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良率
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fjmyhfvclm
6天前
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三星已完成第一代2纳米工艺可靠性评估
据相关消息,三星 Foundry 半导体代工业务为扭转颓势,正全力押注最尖端的 2 纳米半导体量产技术,良率已达到 40~50%。与此同时,全球代工龙头台积电已锁定苹果、AMD、高通等大客户,2 纳米工艺…
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良率
全力
fjmyhfvclm
1月前
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三星Z Flip7强上自研Exynos 2500,良率不足40%也要拼?
2025年5月2日,三星官宣Galaxy Z Flip7将搭载 自研Exynos 2500芯片 ,成为首款放弃高通方案的折叠旗舰。技术威慑:官宣2026年骁龙8 Elite 2将采用 台积电3nm+三星2…
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芯片
fjmyhfvclm
1月前
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三星Galaxy S26搭Exynos 2600处理器,仅限欧洲市场?
据X平台知名博主Jukanlosreve透露,三星即将推出的旗舰机型Galaxy S26,将搭载自家研发的Exynos 2600处理器,但这一配置主要面向欧洲市场。面对这一差距,三星仍需在下半年进一步优化其2…
Galaxy
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显著提升
良率
芯片
fjmyhfvclm
1月前
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三星2纳米芯片Exynos 2600量产在即,良率提升至40%能否逆袭?
报道中提及,新任Foundry事业部主管韩真晚(HanJinman)上任后迅速行动,通过优化生产良率和调整经营策略,为三星的2纳米工艺生产线带来了显著变化。 总的来说,三星在2纳米工艺上的突破为其半导体业…
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半导体
良率
fjmyhfvclm
2月前
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高通对三星失去信心,骁龙 8s Gen 4 选台积电!
IT之家 3 月 26 日消息,科技媒体 SamMobile 昨日(3 月 25 日)发布博文,报道称高通对三星失去信心,即将推出的骁龙 8sGen 4 芯片将由台积电独家代工,三星 4nm 工艺已出局。 …
Gen
高通
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信心
良率
fjmyhfvclm
2月前
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三星背水一战:组建 TF 小组提升 SF2 工艺良率
Exynos 2600 将采用 2 纳米 SF2 工艺,良率显著提升,将装备在 Galaxy S26 系列手机中。 三星 Foundry内部人士透露,此次组建 TF 小组,是三星在非内存业务(系统 LSI…
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fjmyhfvclm
3月前
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传台积电拒绝为三星代工Exynos旗舰芯片!
1月16日消息,三星在第二代3nmGAA制程上遭遇良率过低的消息早已不是新闻,有报道称其目前良率仅20%,远不及其当初定下的70%良率的目标,这也使得其自研的Exynos旗舰芯片遭遇了难产。 不幸的是,X…
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fjmyhfvclm
4月前
81
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